Samsung เปิดตัว DDR 3 ขนาด 30 นาโนเมตรรุ่นประหยัดพลังงาน

Samsung ผู้ผลิตเครื่องใช้ไฟฟ้ารายใหญ่สัญญาติเกาหลีประกาศเตรียมพร้อมผลักดันชิ ปหน่วยความจำคอมพิวเตอร์แบบ DDR3 รุ่นใหม่เน้นประหยัดพลังงานเข้าสายการผลิตและเริ่มวางจำหน่ายในครึ่งปีหลัง นี้ โดยทางตัวแทนจาก Samsung ได้อธิบายเพิ่มเติมว่า ด้วยการลดขนาดของชิปเซตเป็น 30 นาโนเมตรจากเดิม 50 นาโนเมตรทำให้ RAM รุ่นใหม่ที่ว่านี้สามารถประหยัดพลังงานไปได้มากกว่า 30 เปอร์เซ็นต์และมีประสิทธิภาพในการทำงานมากกว่าขนาด 40 นาโนเมตรถึงกว่า 60 เปอร์เซ็นต์ โดยชิปขนาดใหม่ที่ว่านี้จะใช้พลังงานเพียงแค่ 1.35 V - 1.5 V และเมื่อใช้งานในคอมพิวเตอร์พกพาทั่วไป RAM 4 GB DDR3 ที่ว่านี้จะใช้พลังงานเพียงแค่ 3 วัตต์ต่อชั่วโมงเท่านั้น